ТЕХНОЛОГІЇ

У церемонії відкриття взяли участь міністр освіти і науки, молоді та спорту України Дмитро Табачник, віце-президент Російської академії наук, Нобелівський лауреат Жорес Алфьоров, відомі українські та російські вчені, керівники високотехнологічних компаній та вищих наукових закладів України і Росії, урядовці. Ініціатором створення такого першого в Україні найсучаснішого центру високих технологій виступив колектив науково-виробничого концерну «Наука», та Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут». На переконання українських і російських учених, відкриття такого центру у Києві значно підвищить можливість серійного виробництва та здешевлення (за рахунок сучасної діагностики) продукції наноелектроніки, а також допоможе створенню нових технологій.

«Справжньою унікальністю першого в Україні новоствореного науково─навчального центру «Наноелектроніка і нанотехнології» є реалізація замкнутого циклу, до чого прагнуть усі світові високотехнологічні компанії: «Підготовка кадрів ─ наукові дослідження ─ виробництво, ─стверджує один з ініціаторів проекту професор Сергій Ларкін. ─ А основними напрямами діяльності центру є проведення досліджень та розробок у галузях нанофізики та наноелектроніки, створення конкурентоспроможних на світовому ринку наукових і науково-прикладних результатів, впровадження інноваційної діяльності та забезпечення на цій основі умов здійснення поглибленої підготовки фахівців в галузях нанофізики та наноелектроніки. І тепер Україна стала другою у Європі країною, яка має подібне високотехнологічне обладнання».

Матеріально-технічна база науково-навчального центру утворюється на основі поки що єдиного в Україні нанотехнологічного комплексу НАНОФАБ, розробленого та створеного НВК «Наука» та концерном NТ─МDТ, у рамках російсько─української науково─дослідної програми «Нанофізика та наноелектроніка» (під керівництвом академіка РАН Ж.І. Алфьорова та академіка НАНУ М.Г. Находкіна). Цей технологічний комплекс складається з високо- та надвисоковакуумних сумісних аналітичних і технологічних модулів, з можливістю їх компонування в єдину технологічну лінію, під конкретний технологічний цикл для вирішення завдань розробки та дрібносерійного виробництва виробів наноелектроніки ─ з мінімальними топологічними конструктивно-технологічними обмеженнями до 5 нм.

З іншого боку, таке коштовне обладнання недоцільно використовувати тільки в освітніх цілях, тому при подальшому розвитку діючого комплексу шляхом доукомплектування необхідними модулями (модулем сфокусованих іонних пучків та модулем молекулярно─променевої епітаксії), з'явиться можливість серійного виробництва продукції наноелектроніки та відпрацювання на комплексі нових технологій, які при впроваджені у серійне виробництво суттєво знизять витрати на діагностику.